Разное

Состав вафли: виды, состав, польза и история происхождения вафель -АО РАХАТ

Содержание

калорийность и состав. Виды и вред вафель




Свойства вафель

Пищевая ценность и состав |
Витамины |
Минеральные вещества

Сколько стоит вафли ( средняя цена за 1 кг.)?

Москва и Московская обл.

80 р.

 


Вафли достаточно простое в исполнении лакомство, которое может стать отличным десертом и заключительным сладким аккордом в праздничном ужине или семейных посиделках. Название вафли получили от немецкого слова waffel или датского wafel. Именно так стали называть новый десерт, приготовленный из жидкого теста, немецкие кулинары, которым принадлежит идея изготовления вафель.


Первые вафли стали печь еще во времена Средневековья. Тогда вафли считались всего лишь разновидностью печенья. Главным отличием нового лакомства был способ изготовления, своеобразный оттиск или рисунок на продукте и состав вафель. Для того, чтобы замесить правильное тесто для вафель нужно смешать муку, сливки или воду, яйца и сахар. В результате у вас получается простое жидкое тесто.

Состав вафель


Состав вафель не пестрит консервантами, пищевыми добавками или усилителями вкуса. Поэтому говорить о пользе или вреде вафель было бы не совсем правильно. Сами по себе вафли абсолютно безвредны, что не скажешь о начинках, которые могут содержать всю таблицу Менделеева в своем составе. Калорийность вафель так же зависит только от начинки изделия. Согласитесь, такой простой состав ингредиентов в рецепте десерта просто не может соответствовать, заявленной производителями и достаточно высокой калорийности вафель.


Средний показатель калорийности продукта достигает 342 Ккал на 100 грамм.  В наше время вафли с начинками пользуются наибольшей популярностью. Вафли без начинки обычно используют как дополнение к мороженному или лесным ягодам. Вафли берут за основу многих кондитерских изделий. Вафельные коржи используют для изготовления тортов, вафельные трубочки, рожки и стаканчики используют для мороженого или пирожных.

Виды вафель


Существует достаточно видов вафель, которые отличаются друг от друга, как правило, начинками. Пожалуй, можно выделить следующие самые популярные и распространенные виды вафель:


  • без начинки — это продукт, который представляет собой вафельные хрустящие листы, которые подают в качестве дополнения к десертам с мороженным, кремом, фруктами или ягодами; 

  • с начинками — различают вафли с жирной, помадной или фруктово-ягодной начинками;


К специфическим видам вафель можно отнести — мягкие, диетические (на фруктозе) и витаминизированные вафли. Вафли, как кондитерские изделия, невероятно популярны и востребованы в нашей стране. Многие родители спокойно разрешают детям употреблять сладкое лакомство, абсолютно не задумываясь о вреде вафель для здоровья человека.

Вред вафель


Наиболее распространенный вид вафель с жирными начинками недорого стоит и пестрит разнообразием вкусов. Однако, при всей видимой выгоде и пользе вафель, давайте более внимательно изучим состав продукта. Основной вред вафель заключается в использовании производителями различных стабилизаторов и усилителей вкусов, а так же непременных консервантов и химических пищевых добавок.


Вся эта химия вряд ли может принести ту пользу, которую обещают рекламные слогана производителей. Не может вафля с химически сформированной фруктовой начинкой действительно подарить необходимые минералы и витамины человеческому организму. Тем боле стоит избегать частое употребление вафель людям, страдающим ожирением. Зачастую вафельная начинка произведена с добавлением тяжелых кондитерских жиров и сахара.

Калорийность вафель 342.1 кКал

Энергетическая ценность вафель (Соотношение белков, жиров, углеводов — бжу):


Белки: 3.2 г. (~13 кКал)
Жиры: 2.8 г. (~25 кКал)
Углеводы: 81.1 г. (~324 кКал)

Энергетическое соотношение (б|ж|у): 4%|7%|95%

Рецепты с вафлями




Черничные вафли на сметане

Мягкие сырные вафли

Вафли из бисквитного теста

Финиковые вафли

Пропорции продукта.

Сколько грамм?


в 1 упаковке 150 граммов

 

Пищевая ценность и состав вафель

Зола

0.2 г

Крахмал

16.3 г

Моно- и дисахариды

63.8 г

Вода

12 г

Органические кислоты

0.9 г

Пищевые волокна

0.8 г

Витамины

Витамин PP (PP)

0.4 мг

Витамин В1 (В1)

0.04 мг

Витамин В2 (В2)

0.04 мг

Витамин PP (НЭ) (PP)

0.9312 мг

Минеральные вещества

Железо (Fe)

0.6 мг

Фосфор (P)

33 мг

Калий (K)

33 мг

Натрий (Na)

5 мг

Магний (Mg)

2 мг

Кальций (Ca)

10 мг

Аналоги и похожие продукты

Венские вафли

Клубничное варенье

Яблочные чипсы

Конфитюр

Просмотров: 41539


Рецепт Вафли. Калорийность, химический состав и пищевая ценность.

пшеничная мука, высшего сорта 1.0 (гран. стакан)
масло сливочное 20.0 (грамм)
яйцо куриное 1.0 (штука)
сода 2.0 (грамм)
сахар 2.0 (стол. ложка)
молоко коровье 1.0 (гран. стакан)
ванилин 2. 0 (грамм)
соль поваренная 1.0 (грамм)

Перемешать молоко, ванильный сахар, сахар, соль, соду, половину нормы муки венчиком. Затем добавить яйцо и взбить. Во взбитую массу добавить растопленное масло, оставшуюся муку и продолжать взбивать еще. Выпечь

Составить свой рецепт с учетом потерь витаминов и минералов вы можете с помощью калькулятора рецептов в приложении «Мой здоровый рацион».

Химический состав и анализ пищевой ценности

Пищевая ценность и химический состав

«Вафли».

В таблице приведено содержание пищевых веществ (калорийности, белков, жиров, углеводов, витаминов и минералов) на 100 грамм съедобной части.

НутриентКоличествоНорма**% от нормы
в 100 г
% от нормы
в 100 ккал
100% нормы
Калорийность210. 9 кКал1684 кКал12.5%5.9%798 г
Белки5.5 г76 г7.2%3.4%1382 г
Жиры6.5 г56 г11.6%5.5%862 г
Углеводы34.9 г219 г15.9%7. 5%628 г
Органические кислоты8.8 г~
Пищевые волокна0.3 г20 г1.5%0.7%6667 г
Вода50.7 г2273 г2.2%1%4483 г
Зола0.6 г~
Витамины
Витамин А, РЭ80 мкг900 мкг8. 9%4.2%1125 г
Ретинол0.08 мг~
Витамин В1, тиамин0.07 мг1.5 мг4.7%2.2%2143 г
Витамин В2, рибофлавин0.1 мг1.8 мг5.6%2.7%1800 г
Витамин В4, холин48. 7 мг500 мг9.7%4.6%1027 г
Витамин В5, пантотеновая0.4 мг5 мг8%3.8%1250 г
Витамин В6, пиридоксин0.08 мг2 мг4%1.9%2500 г
Витамин В9, фолаты10.7 мкг400 мкг2. 7%1.3%3738 г
Витамин В12, кобаламин0.2 мкг3 мкг6.7%3.2%1500 г
Витамин C, аскорбиновая0.6 мг90 мг0.7%0.3%15000 г
Витамин D, кальциферол0.2 мкг10 мкг2%0.9%5000 г
Витамин Е, альфа токоферол, ТЭ1. 1 мг15 мг7.3%3.5%1364 г
Витамин Н, биотин3.9 мкг50 мкг7.8%3.7%1282 г
Витамин РР, НЭ1.313 мг20 мг6.6%3.1%1523 г
Ниацин0.4 мг~
Макроэлементы
Калий, K114. 9 мг2500 мг4.6%2.2%2176 г
Кальций, Ca65.9 мг1000 мг6.6%3.1%1517 г
Кремний, Si1.2 мг30 мг4%1.9%2500 г
Магний, Mg12.1 мг400 мг3%1. 4%3306 г
Натрий, Na39 мг1300 мг3%1.4%3333 г
Сера, S49.9 мг1000 мг5%2.4%2004 г
Фосфор, P83.9 мг800 мг10.5%5%954 г
Хлор, Cl204. 2 мг2300 мг8.9%4.2%1126 г
Микроэлементы
Алюминий, Al325.3 мкг~
Бор, B10.7 мкг~
Ванадий, V26 мкг~
Железо, Fe0. 7 мг18 мг3.9%1.8%2571 г
Йод, I6.3 мкг150 мкг4.2%2%2381 г
Кобальт, Co1.8 мкг10 мкг18%8.5%556 г
Марганец, Mn0.1704 мг2 мг8.5%4%1174 г
Медь, Cu42. 6 мкг1000 мкг4.3%2%2347 г
Молибден, Mo6.7 мкг70 мкг9.6%4.6%1045 г
Никель, Ni0.6 мкг~
Олово, Sn7.4 мкг~
Селен, Se2. 6 мкг55 мкг4.7%2.2%2115 г
Стронций, Sr7.7 мкг~
Титан, Ti3.2 мкг~
Фтор, F20.4 мкг4000 мкг0.5%0.2%19608 г
Хром, Cr1. 9 мкг50 мкг3.8%1.8%2632 г
Цинк, Zn0.4902 мг12 мг4.1%1.9%2448 г
Усвояемые углеводы
Крахмал и декстрины19.5 г~
Моно- и дисахариды (сахара)2. 7 г~
Стеролы (стерины)
Холестерин52.5 мгmax 300 мг

Энергетическая ценность Вафли составляет 210,9 кКал.

Основной источник: Интернет. Подробнее.

** В данной таблице указаны средние нормы витаминов и минералов для взрослого человека. Если вы хотите узнать нормы с учетом вашего пола, возраста и других факторов, тогда воспользуйтесь приложением
«Мой здоровый рацион».

Калькулятор рецепта

Пищевая ценность на 100 г

Содержание в порции% от РСП
Калории210.9 кКал-%
Белки5.5 г-%
Жиры6.5 г-%
Углеводы34.9 г-%
Пищевые волокна0. 3 г-%
Вода50.7 г-%

Перейти в дневник питания

Витамины и минералы

Большинство продуктов не может содержать полный набор витаминов и минералов. Поэтому важно употреблять в пищу разннообразные продукты, чтобы восполнять потребности организма в витаминах и минералах.

Узнать содержание витаминов и минералов в своём меню

Анализ калорийности продукта

Cоотношение белков, жиров и углеводов:

Узнать свой энергетический баланс за целый день

Зная вклад белков, жиров и углеводов в калорийность можно понять, насколько продукт или рацион соответсвует нормам здорового питания или требованиям определённой диеты. Например, Министерство здравоохранения США и России рекомендуют 10-12% калорий получать из белков, 30% из жиров и 58-60% из углеводов. Диета Аткинса рекомендует низкое употребление углеводов, хотя другие диеты фокусируются на низком потреблении жиров.

Рассчитать свои нормы

Если энергии расходуется больше, чем поступает, то организм начинает тратить запасы жира, и масса тела уменьшается.

Получить рекомендации

Получите дополнительную информацию и осуществите задуманное, изучив наш бесплатный интерактивный курс.

Изучить интерактивный курс по похудению

Попробуйте заполнить дневник питания прямо сейчас без регистрации.

Заполнить дневник питания

Узнайте свой дополнительный расход калорий на тренировки и получите уточнённые рекомендации абсолютно бесплатно.

Заполнить дневник тренировок

Срок достижения цели

Вафли богат такими витаминами и минералами, как:
кобальтом — 18 %

  • Кобальт входит в состав витамина В12. Активирует ферменты обмена жирных кислот и метаболизма фолиевой кислоты.

Полный справочник самых полезных продуктов вы можете посмотреть в приложении «Мой здоровый рацион».

  • Пшеничная мука, высшего сорта 334 кКал
  • Масло сливочное 72,5% жирности, крестьянское 661 кКал
  • Яйцо куриное 157 кКал
  • Пищевая сода 0 кКал
  • Сахар песок 399 кКал
  • Молоко 3,2% жирности, пастеризованное 60 кКал
  • Ванилин 0 кКал
  • Соль поваренная пищевая 0 кКал
    org/BreadcrumbList»>

  • Главная
  • Таблица калорийности готовых блюд
  • Состав десерты
  • Калорийность «Вафли»

Метки: Как приготовить

Вафли

, калорийность 210,9 кКал, химический состав, питательная ценность, какие витамины, минералы, способ приготовления Вафли, рецепт, калории, нутриенты

Калькуляторы

Калорийность Вафли с жировыми начинками. Химический состав и пищевая ценность.

Химический состав и анализ пищевой ценности

Пищевая ценность и химический состав

«Вафли с жировыми начинками».

В таблице приведено содержание пищевых веществ (калорийности, белков, жиров, углеводов, витаминов и минералов) на 100 грамм съедобной части.

НутриентКоличествоНорма**% от нормы
в 100 г
% от нормы
в 100 ккал
100% нормы
Калорийность542 кКал1684 кКал32.2%5.9%311 г
Белки3.9 г76 г5.1%0.9%1949 г
Жиры30.6 г56 г54. 6%10.1%183 г
Углеводы62.5 г219 г28.5%5.3%350 г
Органические кислоты0.4 г~
Пищевые волокна1.2 г20 г6%1.1%1667 г
Вода1 г2273 г227300 г
Зола0. 4 г~
Витамины
Витамин А, РЭ7 мкг900 мкг0.8%0.1%12857 г
Ретинол0.006 мг~
бета Каротин0. 008 мг5 мг0.2%62500 г
Витамин В1, тиамин0.05 мг1.5 мг3.3%0.6%3000 г
Витамин В2, рибофлавин0.02 мг1.8 мг1.1%0.2%9000 г
Витамин Е, альфа токоферол, ТЭ4.7 мг15 мг31. 3%5.8%319 г
Витамин РР, НЭ1 мг20 мг5%0.9%2000 г
Ниацин0.4 мг~
Макроэлементы
Калий, K48 мг2500 мг1. 9%0.4%5208 г
Кальций, Ca8 мг1000 мг0.8%0.1%12500 г
Магний, Mg6 мг400 мг1.5%0.3%6667 г
Натрий, Na89 мг1300 мг6.8%1.3%1461 г
Фосфор, P42 мг800 мг5. 3%1%1905 г
Микроэлементы
Железо, Fe0.6 мг18 мг3.3%0.6%3000 г
Усвояемые углеводы
Крахмал и декстрины24. 5 г~
Моно- и дисахариды (сахара)38 г~
Стеролы (стерины)
Холестерин14 мгmax 300 мг
Насыщенные жирные кислоты
Насыщеные жирные кислоты8. 9 гmax 18.7 г

Энергетическая ценность Вафли с жировыми начинками составляет 542 кКал.

  • Штука = 14 гр (75.9 кКал)

Основной источник: Скурихин И.М. и др. Химический состав пищевых продуктов. Подробнее.

** В данной таблице указаны средние нормы витаминов и минералов для взрослого человека. Если вы хотите узнать нормы с учетом вашего пола, возраста и других факторов, тогда воспользуйтесь приложением
«Мой здоровый рацион».

Калькулятор продукта

Пищевая ценность на 100 г

Содержание в порции% от РСП
Калории542 кКал-%
Белки3. 9 г-%
Жиры30.6 г-%
Углеводы62.5 г-%
Пищевые волокна1.2 г-%
Вода1 г-%

Перейти в дневник питания

Витамины и минералы

Большинство продуктов не может содержать полный набор витаминов и минералов. Поэтому важно употреблять в пищу разннообразные продукты, чтобы восполнять потребности организма в витаминах и минералах.

Узнать содержание витаминов и минералов в своём меню

Анализ калорийности продукта

Cоотношение белков, жиров и углеводов:

Узнать свой энергетический баланс за целый день

Зная вклад белков, жиров и углеводов в калорийность можно понять, насколько продукт или рацион соответсвует нормам здорового питания или требованиям определённой диеты. Например, Министерство здравоохранения США и России рекомендуют 10-12% калорий получать из белков, 30% из жиров и 58-60% из углеводов. Диета Аткинса рекомендует низкое употребление углеводов, хотя другие диеты фокусируются на низком потреблении жиров.

Рассчитать свои нормы

Если энергии расходуется больше, чем поступает, то организм начинает тратить запасы жира, и масса тела уменьшается.

Получить рекомендации

Получите дополнительную информацию и осуществите задуманное, изучив наш бесплатный интерактивный курс.

Изучить интерактивный курс по похудению

Попробуйте заполнить дневник питания прямо сейчас без регистрации.

Заполнить дневник питания

Узнайте свой дополнительный расход калорий на тренировки и получите уточнённые рекомендации абсолютно бесплатно.

Заполнить дневник тренировок

Срок достижения цели

Вафли с жировыми начинками богат такими витаминами и минералами, как:
витамином E — 31,3 %

  • Витамин Е обладает антиоксидантными свойствами, необходим для функционирования половых желез, сердечной мышцы, является универсальным стабилизатором клеточных мембран. При дефиците витамина Е наблюдаются гемолиз эритроцитов, неврологические нарушения.

Полный справочник самых полезных продуктов вы можете посмотреть в приложении «Мой здоровый рацион».

Энергетическая ценность, или калорийность — это количество энергии, высвобождаемой в организме человека из продуктов питания в процессе пищеварения. Энергетическая ценность продукта измеряется в кило-калориях (ккал) или кило-джоулях (кДж) в расчете на 100 гр. продукта. Килокалория, используемая для измерения энергетической ценности продуктов питания, также носит название «пищевая калория», поэтому, при указании калорийности в (кило)калориях приставку кило часто опускают. Подробные таблицы энергетической ценности для русских продуктов вы можете посмотреть
здесь.

Пищевая ценность — содержание углеводов, жиров и белков в продукте.

Пищевая ценность пищевого продукта — совокупность свойств пищевого продукта, при наличии которых удовлетворяются физиологические потребности человека в необходимых веществах и энергии.

Витамины, органические вещества, необходимые в небольших количествах в пищевом рационе как человека, так и большинства позвоночных. Синтез витаминов, как правило, осуществляется растениями, а не животными. Ежедневная потребность человека в витаминах составляет лишь несколько миллиграммов или микрограммов. В отличие от неорганических веществ витамины разрушаются при сильном нагревании. Многие витамины нестабильны и «теряются» во время приготовления пищи или при обработке пищевых продуктов.

«Артек» (вафли): состав, калорийность, фото

Название этих сладостей у нас ассоциируется с детством. А еще со знаменитым детским лагерем. И то и другое, безусловно, вызывает приятные воспоминания, когда речь заходит о вафлях «Артек».

Как появились вафли «Артек»

Вафлями называют кондитерские изделия, которые состоят из трех или более вафельных листов с начинкой между ними. История их происхождения до сих пор остается загадкой. Кое-кто считает, что это лакомство придумали в Древней Греции. Тогда их делали из сыра и травы и выпекали на разогретом камне. Согласно другой версии, вафли появились в Германии в XIII столетии на берегах Рейна.

Кто же придумал лакомство «Артек»? Вафли с таким названием впервые появились в СССР в 1958 году. Произошло это благодаря технологам Московской кондитерской фабрики, которые разработали несколько новых рецептов любимого всеми хрустящего лакомства. Среди них были и вафли «Артек», получившие свое наименование от названия всемирно известного пионерского лагеря, расположенного в Республике Крым. В 60-е годы прошлого столетия на Московской кондитерской фабрике выпускали до 25 разных видов этого продукта. Но самыми популярными (как тогда, так и сейчас) являются вафли «Артек».

Вафли «Артек»: состав продукта

Рецептура изготовления на разных предприятиях, изготавливающих лакомство, неодинакова. Это значит, что кондитерские изделия с одним и тем же названием, но у разных торговых марок будут отличаться по вкусу.

Самый популярный в России «Артек» – вафли, которые выпускаются кондитерской фабрикой «Рот Фронт». Их состав включает сахар, пшеничную муку, растительный жир специального назначения, какао-порошок и сухое молоко, подсолнечное масло, яичный порошок, соду пищевую и соль, ароматизатор «Ванилин», идентичный натуральному, лимонную кислоту E330 и эмульгатор лецитин E322.

Вафли «Артек»: калорийность и пищевая ценность

Вафли являются очень калорийным продуктом. В 100 граммах этого лакомства содержится 30 г жиров, 60 г углеводов и только 4 г белка.

Для тех, кто заботится о своей фигуре, важно знать, сколько калорий в вафлях «Артек». Диетологами подсчитано, что калорийность этого продукта составляет 530 ккал на 100 грамм.

Но на самом деле «Артек» – вафли не такие уж и вредные. При соблюдении рецептуры в них даже сохраняются в небольшом количестве витамины (в основном за счет какао-порошка, содержащегося в начинке). Химический состав таких вафель включает витамины (PP, E, B1, B2, А), макроэлементы (фосфор, калий, натрий, магний, кальций) и микроэлементы (железо).

Некоторые недобросовестные производители используют при изготовлении кондитерских изделий транс-жиры, которые наносят непоправимый вред организму. Они влияют на работу сердца и сосудов, а их неконтролируемое потребление в пищу приводит к ожирению, в том числе и у детей. Поэтому всегда следует помнить, что качественные вафли «Артек» не могут быть слишком дешевыми, хотя это и не совсем дорогой продукт.

Как делают вафли «Артек» по ГОСТу

На кондитерской фабрике приготовление вафель начинается с замешивания теста. Для этого сначала в специальную емкость просеивают муку, затем добавляют в нее воду и сухую смесь разрыхлителя с содой. Все тщательно перемешивают. Тесто должно получиться не гуще обычной сметаны.

После этого в замешанную массу засыпают белый порошок – лецитин, а следом вливают растительное масло. Они сделают тесто однородным по составу. Больше никакие ингредиенты не добавляются. Вопреки распространенному мнению, в вафельных коржах нет сахара, а сладкими их делает начинка.

После замешивания тесто по трубам попадает в следующий цех, где выпекаются коржи. Оборудование, необходимое для этого, по принципу действия напоминает обычную вафельницу. Через специальные форсунки тесто разливается на раскаленные плиты, накрывается сверху второй половинкой вафельницы и выпекается 2 минуты при температуре 170 градусов.

Теперь готовые коржи охлаждаются и по конвейерной ленте попадают в цех, где на них через специальные форсунки наносится жидкая начинка. После этого вафельные листы соединяются друг с другом. Затем их охлаждают в специальном холодильнике, чтобы начинка застыла. И только после этого большие листы разрезают специальные струнами на небольшие вафли. Дальше их упаковывают и отправляют на склад, а затем в магазин.

Так изготавливают традиционные вафли «Артек», фото которых представлено выше. Каждое кондитерское изделие состоит из 5 хрустящих коржей и 4 слоев начинки между ними.

Как выбрать настоящие вафли «Артек»

На магазинных полках представлены сразу несколько видов вафель «Артек», разных торговых марок, с шоколадной, молочной или ванильной начинкой. Но какие из них действительно родом из детства, разобраться довольно сложно.

При выборе вафель «Артек» необходимо обратить внимание на следующие моменты.

  1. Четкий рисунок на коржах. Толщина каждого слоя вафли должна составлять не более 2 мм. Все слои плотно соединены, буквально склеены между собой начинкой. Если один из них отходит от другого, это значит, что вафля отсырела, и хрустеть на зубах не будет.
  2. Оттенок качественных вафель должен быть золотистым.
  3. Кондитерские изделия, срок годности которых подходит к концу, имеют характерный горьковатый запах растительного масла. Свежий продукт пахнет приятно.

Настоящий «Артек» – вафли, которые обязательно хрустят. Они должны легко ломаться, но не крошиться. Этот признак может указывать на сухость начинки.

Мнения покупателей

Сложно найти человека, который никогда не пробовал бы вафли «Артек». Покупатели в один голос твердят об их невероятном вкусе и приятном хрусте. Их отзывы подтверждают, что вафли ароматные, нежные, в меру сладкие и отлично утоляют голод. Изделия «Артек» не приторные, одинаково вкусные и с чаем, и с молоком. Часто продаются в небольших упаковках по несколько штук в каждой, поэтому могут использоваться в качестве перекуса.

Но тем, кто соблюдает диету или просто придерживается правильного питания, от таких кондитерских изделий лучше отказаться из-за их слишком высокой калорийности. В целом состав вафель покупатели считают вполне безвредным для данного вида продукции.

Хрустящие вафли (2 рецепта из одного набора продуктов), пошаговый рецепт на 3202 ккал, фото, ингредиенты

Добавить рецепт

Рецепт

Реклама

Видеорецепты по теме

Рецепт от юлии высоцкой

Шоколадно-кофейные вафли с джемом и свежими ягодами

Это тесто получается очень воздушным, из него можно сделать и классические вафли, не добавляя в них кофе и шоколад.

Подписывайтесь на YouTube-канал «Едим Дома», где собраны все выпуски любимой

Юлия Высоцкая

Реклама

Реклама

Natali

Приготовление

1 час

Рецепт на:

10 персон

 

ОПИСАНИЕ

Здравствуйте, дорогие друзья! Сегодня я пришла угощать вас хрустящими и ароматными домашними вафельками.

Вафель из данного количества ингредиентов получается много, вы можете свернуть их конусом или трубочкой, наполнить любой начинкой или просто так подать к несладкому чаю или кофе.

Вкусно будет в любом случае

Теперь про обещанные 2 рецепта. Вся хитрость в том, в каком виде вы будете добавлять маргарин в тесто.

Если добавить просто размягченный маргарин, то вафли получатся очень хрустящими и тоненькими.

Если же вы хотите вафельки поплотнее, то маргарин добавьте растопленный, количество муки придется в этом случае немного увеличить. Структура вафель чудесным образом измениться. Будет так же вкусно, но хрустеть будет гораздо меньше.

Экспериментируйте и ищите свой любимый вариант.

****

Стакан — 250мл

В кулинарную книгу

 

С изображениямиБез изображений

 

В избранное

С изображениямиБез изображений

Подписывайтесь на наш канал в «Яндекс. Дзен»!

Пищевая ценность порции

320

кКал

13%

Белки5 г
Жиры19 г
Углеводы31 г

% от дневной нормы

1 %

4 %

2 %

Основано на вашем
возрасте, весе и активности. Является справочной информацией.

Войдите или зарегистрируйтесь и мы сможем выводить вашу дневную норму потребления белков, жиров и углеводов

Войти/зарегистрироваться

ИНГРЕДИЕНТОВ НА

ПОРЦИЙ

Основные

1 стакан
1 стакан

маргарин сливочный

200 г

ванилин

1 г

яйца куриные крупные

4 шт.

Выделить все

фотоотчеты к рецепту9

Добавить фотографию

Добавить фотографию

Пошаговый рецепт с фото

Яйца взбиваем с сахаром и ванилином до посветления у увеличения в объеме в 2-3 раза.
Сахара вам может показаться много, но его количество не уменьшайте или я за результат не отвечаю;)
Вместо ванилина можете добавить тертую лимонную или апельсиновую цедру.

Добавляем размягченный при комнатной температуре маргарин. Взбиваем до однородности.

Теперь понемногу просеиваем муку и перемешиваем миксером на самой маленькой скорости. Получаем тесто по густоте как сметана.
Если маргарин вы добавляете растопленный, то муки кладите 1,5 стакана!

Перед выпеканием первой вафли поверхность вафельницы смазываем растительным маслом. Я выкладываю столовую ложку теста без верха. Выпекаем вафлю в соответствии с рекомендациями к вашей вафельнице.
Если вафля прилипает к поверхности вафельницы, добавьте немного муки.

Вафли скручиваем трубочками или конусом сразу после выпекания, еще горячими. Их пластичность уменьшается с каждой секундой.

Чтобы вафли дольше сохранились хрустящими, после остывания сразу же сложите их в герметичный контейнер и храните в сухом месте. Приятного аппетита!

А после чае- или кофепития с вафлями приглашаю вас на прогулку в наш летний сад;)
http://www.edimdoma.ru/club/posts/17808-tsvetochnaya-feeriya-ili-nemnogo-leta-sredi-zimy

поделиться фото

согласны?

ГОЛОСА ЗА РЕЦЕПТ ДНЯ(1)

Теги рецепта

выпечкавафлирецепты для пикникарецепты для пикникабабушкиныбабушкинывзбиватьрецепты для вафельницыинтернациональная кухня

Реклама

Реклама

РЕЙТИНГ РЕЦЕПТА

РАССКАЗАТЬ ДРУЗЬЯМ

Фильтры

Сбросить все

Подборки

Рецепты дня

Рецепты месяца

Быстрые рецепты

Правильное питание (пп-рецепты)

Согревающие супы

Заготовки из помидоров

Ингредиенты

Добавить к поиску
и или

Исключить ингредиент

Пользователи

Показать

Вафли из полбы Шоколад, без сахара Вастэко

32
RUB

15 g.

32
RUB

87
RUB

45 g.

87
RUB

Вафли из полбы «Шоколад», без сахара Вастэко, 15 гВафли из полбы «Шоколад», без сахара Вастэко, 45 г

Бренд:

Вастэко

Артикул:
VAST0082

4.77
226

226 отзывов

15 г
– 32 ₽

45 г
– 87 ₽

32 ₽

На данный товар не распространяется скидка по программе лояльности

87 ₽

На данный товар не распространяется скидка по программе лояльности

Сделать любимым

Сделать любимым

Бренд:

Вастэко
Россия

Страна производства:

Россия

Елена Круподерова

Эксперт 4fresh

Пишите, ответим!

Экоупаковка

Упаковываем ваши товары тщательно и только в экологичные
материалы.

Все по-честному

Мы все знаем про товар и ответим на вопросы. Читай отзывы и пиши
свои.

Цены и акции

Кроме самых выгодных цен вас ждут регулярные акции, бонусы и
отличные скидки

Приятные сюрпризы

Журнал с полезными статьями, а также в каждом заказе подарок на
выбор или сюрприз.

Отзывы (226 отзывов)
Вопрос-Ответ

Отзывы

Отзывы о товаре

4.77

226 отзывов

5 Звезд

185

82%

4 Звезды

30

13%

3 Звезды

10

4%

2 Звезды

1

0%

1 Звезда

0%

Топ положительных отзывов

22 Декабря 2020

Если вы ожидаете вкус магазинных вафель аля»Яшкино», то этот продукт не для вас. Вафелька практически не сладкая, вкус более нейтральный. В качестве более правильного и здорового перекуса-отлично!

Топ критических отзывов

18 Февраля 2022

Если выбирать между вафлями из обычных супермаркетов и этими, то последние явно лучше. Но все же в составе, на мой взгляд, многовато сахара, да и кокосовое масло здесь не лучшего качества.
Вкус у продукта ничуть не хуже обычных печенек, но если и употреблять их, то только крайне редко (в дороге и поездке, например) \ud83e\udd14.

Состав

Внешний вид

Соотношение цена / качество

Показывать сначала

НовыеСтарыеПолезные

Бесполезные
54321

Показано: 1 — 3 из 226

Добавить отзыв
Требуется авторизация

, уже попробовали продукт?

Поделитесь опытом и получите

+3 балла на счет Ohana

 12345Ваша оценка продукта

Фото: (*.jpg, *.jpeg, до 7 МБайт)

Мнение о продукте

Состав

Внешний вид

Соотношение цена / качество

Юлия Л.

(4fresh клуб)

6 февраля 2019 в 17:07

Скопировать ссылку

Вкусно, но рецепт мог бы быть лучше

Очень вкусные вафли, хрустящие с тающей начинкой. Хранить лучше в холодильнике, иначе начинка тает и пропитывает вафли. Состав хороший, НО зачем Вы положили в состав растительные пшеничные волокна?? смысл делать продукт из полбы (что само собой вроде бы должно привлекать людей с непереносимостью глютена), но класть туда обычную ПШЕНИЦУ? И не говорите, что в небольшом количестве глютен можно. Лучше вообще без него, надеюсь Вы доработаете свой продукт.

Ответить

Отзыв был полезен?

Анастасия С.

22 декабря 2020 в 19:52

Скопировать ссылку

Куплено на 4fresh

Достойно

Если вы ожидаете вкус магазинных вафель аля»Яшкино», то этот продукт не для вас. Вафелька практически не сладкая, вкус более нейтральный. В качестве более правильного и здорового перекуса-отлично!

Ответить

Отзыв был полезен?

Алина К.

14 октября 2020 в 17:28

Скопировать ссылку

Куплено на 4fresh

Вкусно

Конечно, это вообще не ровня магазинный обычный супермаркетный вафлям. Нет этого химозного вкуса и запаха. Конечно, упаковочна совсем крошка. Только для маленького перекуса. Я то привыкла к большим порциям, по привычке просто))) Рекомендую, буду брать еще

Ответить

Отзыв был полезен?

Вопрос-ответ

Ответы от экспертов по
товару: Вафли из полбы «Шоколад», без сахара Вастэко

новыес ответами

Задать вопрос
Требуется авторизация

У вас возник вопрос по продукту?

Получите ответ от наших экспертов

Нам важно Ваше мнение. Пожалуйста, задайте вопрос первым.

Вафли из полбы «Шоколад», без сахара

5 Звезд

185

82%

4 Звезды

30

13%

3 Звезды

10

4%

2 Звезды

1

0%

1 Звезда

0%

Посмотреть все отзывы

Принимаем к оплате :Доставляем :

Кремниевая пластина | AMERICAN ELEMENTS®


РАЗДЕЛ 1.

ИДЕНТИФИКАЦИЯ

Наименование продукта: Кремниевая пластина

Номер продукта: Все применимые коды продуктов American Elements, например СИ-Е-02-ВФ
, СИ-Е-03-ВФ
, СИ-Е-04-ВФ
, SI-E-05-WF

Номер CAS: 7440-21-3

Соответствующие установленные области применения вещества: Научные исследования и разработки

Информация о поставщике:
American Elements
10884 Weyburn Ave.
Los Angeles, CA

Тел.: +1 310-208-0551
Факс: +1 310-208-0351

Телефон службы экстренной помощи:
Внутренний, Северная Америка: +1 800-44 -9300
Международный: +1 703-527-3887


РАЗДЕЛ 2. ИДЕНТИФИКАЦИЯ ОПАСНОСТИ

Классификация вещества или смеси
Классификация в соответствии с Регламентом (ЕС) № 1272/2008
Вещество не классифицируется как опасное для здоровья или окружающей среды в соответствии с регламентом CLP.
Классификация в соответствии с Директивой 67/548/ЕЭС или Директивой 1999/45/ЕС
Н/Д
Информация об особых опасностях для человека и окружающей среды:
Нет данных
Опасности, не классифицированные иначе
Нет данных
Элементы маркировки
Маркировка в соответствии с Регламентом (ЕС) № 1272/2008
Н/Д
Пиктограммы опасности
Н/Д
Сигнальное слово
Н/Д
Указания на опасность
Н/Д
Классификация WHMIS
Не контролируется
Система классификации
Рейтинги HMIS (шкала 0–4)
(Система идентификации опасных материалов)
ЗДОРОВЬЕ
ПОЖАР
РЕАКЦИОННАЯ СПОСОБНОСТЬ
1


Здоровье (острые воздействия) = 1
Воспламеняемость = 0
оценки PBT и vPvB
PBT:
N/A
vPvB:
N/A


РАЗДЕЛ 3. СОСТАВ/ИНФОРМАЦИЯ О КОМПОНЕНТАХ

Вещества
CAS No. номер(а):
Номер ЕС:
231-130-8


РАЗДЕЛ 4. МЕРЫ ПЕРВОЙ ПОМОЩИ

Описание мер первой помощи
Общая информация
Никаких специальных мер не требуется.
При вдыхании:
В случае жалоб обратиться за медицинской помощью.
При попадании на кожу:
Обычно продукт не раздражает кожу.
При попадании в глаза:
Промыть открытые глаза в течение нескольких минут под проточной водой. Если симптомы сохраняются, обратитесь к врачу.
При проглатывании:
Если симптомы сохраняются, обратитесь к врачу.
Информация для врача
Наиболее важные симптомы и эффекты, как немедленные, так и замедленные
Нет данных
Указание на необходимость немедленной медицинской помощи и специального лечения
Нет данных


РАЗДЕЛ 5. МЕРЫ ПОЖАРОТУШЕНИЯ

Средства пожаротушения
Подходящие средства пожаротушения
Двуокись углерода, порошок для тушения или распыленная вода. Тушите большие пожары с помощью распыления воды или спиртостойкой пены.
Особые опасности, исходящие от вещества или смеси
Если этот продукт вовлечен в пожар, могут быть выделены следующие вещества:
Оксид кремния
Рекомендации для пожарных
Защитное снаряжение:
Никаких специальных мер не требуется.


РАЗДЕЛ 6. МЕРЫ ПРИ СЛУЧАЙНОМ ВЫБРОСЕ

Индивидуальные меры предосторожности, защитное снаряжение и чрезвычайные меры
Не требуется.
Меры предосторожности по охране окружающей среды:
Не допускать попадания материала в окружающую среду без официального разрешения.
Не допускать попадания продукта в канализацию, канализационные системы или другие водотоки.
Не допускайте проникновения материала в землю или почву.
Методы и материалы для локализации и очистки:
Собрать механически.
Предотвращение вторичных опасностей:
Никаких специальных мер не требуется.
Ссылка на другие разделы
См. Раздел 7 для информации о безопасном обращении
См. Раздел 8 для информации о средствах индивидуальной защиты.
Информацию об утилизации см. в Разделе 13.


РАЗДЕЛ 7. ОБРАЩЕНИЕ И ХРАНЕНИЕ

Обращение
Меры предосторожности для безопасного обращения
Держите контейнер плотно закрытым.
Хранить в прохладном, сухом месте в плотно закрытой таре.
Информация о защите от взрывов и пожаров:
Никаких специальных мер не требуется.
Условия безопасного хранения, включая любые несовместимости
Требования, которым должны соответствовать складские помещения и емкости:
Особых требований нет.
Сведения о хранении в одном общем хранилище:
Нет доступных данных
Дополнительная информация об условиях хранения:
Держите контейнер плотно закрытым.
Хранить в прохладном сухом месте в хорошо закрытых контейнерах.
Особое конечное использование
Данные отсутствуют


РАЗДЕЛ 8. КОНТРОЛЬ ВОЗДЕЙСТВИЯ/СРЕДСТВА ИНДИВИДУАЛЬНОЙ ЗАЩИТЫ

Дополнительная информация о конструкции технических систем:
Нет дополнительных данных; см. раздел 7.
Параметры управления
Компоненты с предельными значениями, требующими контроля на рабочем месте:
7440-21-3 Кремний (100,0%)
PEL (США) Долгосрочное значение: 15* 5** мг/м 3
*общая пыль **вдыхаемая фракция
REL (США) Долгосрочное значение: 10* 5** мг/м 3
*общая пыль **респирабельная фракция
TLV (США) TLV изъято
EL (Канада) Долгосрочное значение: 10 мг/м 3
EV (Канада) Долгосрочное значение срочное значение: 10 мг/м 3
общая пыль
Дополнительная информация:
Нет данных
Контроль воздействия
Средства индивидуальной защиты
Соблюдайте стандартные меры защиты и гигиены при обращении с химическими веществами.
Поддерживайте эргономически подходящую рабочую среду.
Дыхательное оборудование:
Не требуется.
Защита рук:
Не требуется.
Время проникновения через материал перчаток (в минутах)
Данные отсутствуют
Защита глаз:
Защитные очки
Защита тела:
Защитная рабочая одежда.


РАЗДЕЛ 9. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Информация об основных физико-химических свойствах
Внешний вид:
Форма: Твердое вещество в различных формах
Цвет: Данные отсутствуют
Запах: Без запаха
Порог восприятия запаха: Данные отсутствуют.
pH: неприменимо
Точка плавления/диапазон плавления: 1423 °C (2593 °F)
Точка/диапазон кипения: 2355 °C (4271 °F) газ)
Нет данных.
Температура воспламенения: Данные отсутствуют.
Температура разложения: Данные отсутствуют.
Самовоспламенение: Данные отсутствуют.
Опасность взрыва: Данные отсутствуют.
Пределы взрываемости:
Нижний: Данные отсутствуют
Верхний: Данные отсутствуют
Давление пара: неприменимо
Плотность при 20 °C (68 °F): 2,33 г/см 3 (19,444 фунта/гал)
Относительный плотность
Нет данных.
Плотность пара
Н/Д
Скорость испарения
Н/Д
Растворимость в воде (H 2 O): Нет данных
Коэффициент распределения (н-октанол/вода): Нет данных.
Вязкость:
Динамика: Н/Д
Кинематика: N/A
Прочая информация
Данные отсутствуют


РАЗДЕЛ 10. СТАБИЛЬНОСТЬ И РЕАКЦИОННАЯ СПОСОБНОСТЬ

Реакционная способность
Данные отсутствуют
Химическая стабильность
Стабилен при соблюдении рекомендуемых условий хранения.
Термическое разложение / условия, которых следует избегать:
Разложение не происходит, если используется и хранится в соответствии со спецификациями.
Возможность опасных реакций
Опасные реакции неизвестны
Условия, которых следует избегать
Нет доступных данных
Несовместимые материалы:
Окисляющие вещества
Данные отсутствуют
Опасные продукты разложения:
Оксид кремния


РАЗДЕЛ 11. ТОКСИКОЛОГИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Информация о токсикологическом воздействии данные об острой токсичности компонентов этого продукта.
Значения LD/LC50, соответствующие классификации:
Пероральная LD50 3160 мг/кг (крыса)
Раздражение или коррозия кожи:
Нет раздражающего действия.
Раздражение или коррозия глаз:
Нет раздражающего действия.
Сенсибилизация:
Сенсибилизирующие эффекты неизвестны.
Мутагенность зародышевых клеток:
Эффекты неизвестны.
Канцерогенность:
Данные по классификации канцерогенных свойств этого материала от EPA, IARC, NTP, OSHA или ACGIH отсутствуют.
Репродуктивная токсичность:
Воздействие не известно.
Специфическая токсичность для системы органов-мишеней — многократное воздействие:
Неизвестно никаких эффектов.
Специфическая токсичность системы органов-мишеней при однократном воздействии:
Эффекты неизвестны.
Опасность при вдыхании:
Эффекты неизвестны.
От подострой до хронической токсичности:
Реестр токсических эффектов химических веществ (RTECS) содержит данные о токсичности при многократном приеме этого вещества.
Дополнительная токсикологическая информация:
Насколько нам известно, острая и хроническая токсичность этого вещества полностью не известна.


РАЗДЕЛ 12. ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Токсичность
Акватоксичность:
Нет данных
Стойкость и способность к разложению
Нет данных
Способность к биоаккумуляции
Нет данных
Мобильность в почве
Нет данных
Дополнительная экологическая информация:
Не допускать попадания материала в окружающую среду без официального разрешения.
Не допускайте попадания неразбавленного продукта или больших количеств в грунтовые воды, водотоки или канализационные системы.
Избегайте попадания в окружающую среду.
Результаты оценки PBT и vPvB
PBT:
Н/Д
vPvB:
Н/Д
Другие неблагоприятные воздействия
Данные отсутствуют


РАЗДЕЛ 13. СООБРАЖЕНИЯ ПО УТИЛИЗАЦИИ

Методы обработки отходов
Рекомендация
Для обеспечения надлежащей утилизации см. официальные правила.
Неочищенная упаковка:
Рекомендация:
Утилизация должна производиться в соответствии с официальными правилами.


РАЗДЕЛ 14. ИНФОРМАЦИЯ О ТРАНСПОРТИРОВКЕ

Номер ООН
DOT, ADN, IMDG, IATA
Н/Д
Собственное отгрузочное наименование ООН
DOT, ADN, IMDG, IATA
N/A
Класс(ы) опасности при транспортировке
DOT, ADR, ADN, IMDG, IATA
Класс
N/A
Группа упаковки
DOT, IMDG, IATA
N/A
Окружающая среда опасности:
Н/Д
Особые меры предосторожности для пользователя
Н/Д
Транспортировка навалом в соответствии с Приложением II MARPOL73/78 и Кодексом IBC
Н/Д
Транспорт/Дополнительная информация:
DOT
Морской загрязнитель (DOT):


РАЗДЕЛ 15. НОРМАТИВНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Правила/законодательные акты по безопасности, охране здоровья и окружающей среды, относящиеся к данному веществу или смеси
Национальные правила
Все компоненты этого продукта перечислены в Реестре химических веществ Агентства по охране окружающей среды США.
Все компоненты этого продукта перечислены в Канадском перечне веществ для внутреннего потребления (DSL).
Раздел 313 SARA (списки конкретных токсичных химических веществ)
Вещество не указано в списке.
Предложение 65 штата Калифорния
Предложение 65 — Химические вещества, вызывающие рак
Вещество не указано в списке.
Prop 65 — Токсичность развития
Вещество не указано.
Prop 65 — Токсичность для развития, женщины
Вещество не указано.
Prop 65 — Токсичность для развития, мужчины
Вещество не указано.
Информация об ограничении использования:
Только для использования технически квалифицированными лицами.
Прочие правила, ограничения и запретительные положения
Вещество, вызывающее особую озабоченность (SVHC) в соответствии с Регламентом REACH (ЕС) № 1907/2006.
Вещество не указано.
Условия ограничений согласно Статье 67 и Приложению XVII Регламента (ЕС) № 1907/2006 (REACH) в отношении производства, размещения на рынке и использования.
Вещество не указано.
Приложение XIV Регламента REACH (требуется разрешение на использование)
Вещество не указано.
REACH — Предварительно зарегистрированные вещества
Вещество внесено в список


РАЗДЕЛ 16. ПРОЧАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Паспорт безопасности в соответствии с Регламентом (ЕС) № 1907/2006 (REACH). Приведенная выше информация считается верной, но не претендует на полноту и должна использоваться только в качестве руководства. Информация в этом документе основана на современном уровне наших знаний и применима к продукту с учетом соответствующих мер предосторожности. Это не является гарантией свойств продукта. American Elements не несет ответственности за любой ущерб, возникший в результате обращения или контакта с вышеуказанным продуктом. Дополнительные условия продажи см. на обратной стороне счета-фактуры или упаковочного листа. АВТОРСКОЕ ПРАВО 1997-2022 АМЕРИКАНСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ. ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ ЛИЦЕНЗИЯ НА ИЗГОТОВЛЕНИЕ НЕОГРАНИЧЕННОГО БУМАЖНОГО КОПИЯ ТОЛЬКО ДЛЯ ВНУТРЕННЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ.

Кремниевые пластины с SiO2 или Si3n4

Термическое окисление кремния

Поля применения

Электронная (устойчивость 10 14 … 10 3 3 2 9 9 9 9 3 14 … 10 9018 3 14 3 14 3 14 14 . 6 … 10 7 В/см, барьер для электронов и дырок из кристаллического Si > 3 эВ), механический (температура плавления ок. 1700°C) и оптический (прозрачный как в видимом, так и в ближнем инфракрасный и ультрафиолетовый спектральный диапазон) свойства SiO 2 делает его подходящим материалом для диэлектрической пленки в транзисторах, конденсаторах (DRAM) или флэш-памяти; и в качестве твердой маски для диффузии, имплантации, влажного или сухого химического травления; и вообще как изолятор между интегрированными устройствами, или как просветляющий слой на эл. грамм. солнечные батареи.

Требуемая толщина пленки SiO 2 варьируется от нескольких нанометров (оксид затвора современных КМОП-транзисторов) до нескольких мкм для электрической изоляции. По сравнению с напыленным или CVD SiO 2 , термический SiO 2 показывает лучшую и более воспроизводимую электрическую изоляцию.

Методика окисления

По сравнению с (кристаллическим) кварцем самородный (= несколько нм, выращенный при комнатной температуре на воздухе) и термический (температура роста 800–1200°C) диоксид кремния (схема печи для окисления справа) аморфен (= без долговременного атомного порядка в решетке). Кремний в нативном или термически выращенном SiO2 выделяется из подложки Si, которая частично расходуется во время роста SiO2: для 100 нм SiO2 требуется прибл. 46 нм Si, при этом толщина пластины одновременно увеличивается прибл. 54 нм.

Dry and Wet SiO

2

One has to distinguish between dry oxide (Si + O 2 -> SiO 2 ), and – with H 2 O в качестве технологического газа – влажный оксид (Si + 2 H 2 O -> SiO 2 + 2 H 2 ). При тех же параметрах процесса из-за более высокой скорости роста влажный оксид проявляет более высокую пористость и скорость травления ВЧ.

Скорость окисления и достижимая SiO

2 Толщина пленки

В начале термического роста SiO 2 химические реакции на поверхности/межфазной границе ограничивают толщину пленки, которая увеличивается линейно со временем. С увеличением толщины SiO 2 все более преобладающая диффузия кислорода через уже выращенную пленку к границе раздела Si/SiO 2 ограничивает скорость роста. SiO 2 толщина теперь увеличивается пропорционально квадратному корню из времени роста.

Помимо состава технологических газов (O 2 /H 2 O), их парциального давления, а также температуры подложки (энергии активации диффузии кислорода и химической реакции на Si/SiO 2 — интерфейс), SiO 2 скорость роста также зависит от ориентации кристаллов кремниевой подложки, механической деформации подложки (например, в случае уже обработанных слоев устройства), а также от легирования подложки (например, более быстрый рост оксида на легированном фосфором кремнии).

Наши пластины с термическим SiO

2

Мы поставляем кремниевые пластины с сухим (тонким SiO 2 пленками до примерно 200–300 нм) или сухим/влажным/сухим термическим оксидом. Возможный SiO 2 Толщина варьируется от прибл. от 50 нм до 3 мкм.

  • Available 3 inch Si + SiO 2 wafers: 3 inch Si+SiO 2 wafer stock list
  • Available 4 inch Si + SiO 2 wafers: 4 inch Si +SiO 2 список запасов пластин
  • В наличии 6 дюймов Si + SiO 2 пластин: 6 дюймов Si+SiO 2 9 список запасов0392

Покрытие из нитрида кремния

Области применения нитрида кремния

В инструментальном производстве стехиометрический тетранитрид трикремния (Si3N4) с очень высокой механической и термической стабильностью используется для таких инструментов, как роликовые подшипники, эксплуатируемые в жестких условиях. условия.

Для полупроводниковых устройств химические, электрические и оптические свойства аморфного гидрогенизированного нитрида кремния (SiN x ) делают этот материал подходящим для различных применений, например, для

  • пассивирующие или изолирующие слои в интегральных схемах
  • маскирующий или препятствующий травлению материал в процессах влажного и плазменного травления благодаря его высокой химической стабильности
  • маскирующий материал в процессах окисления кремния благодаря очень низкому коэффициенту диффузии кислорода в SiNx
  • анти — отражающее покрытие в фотогальванике благодаря регулируемому показателю преломления
PECVD и LPCVD Нитрид кремния

SiN x слои, полученные методом плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD) из SiH 4 и NH 3 обычно – в зависимости от температуры осаждения и состава газа – содержат 5–20 атомных % водорода, который насыщает оборванные связи и, таким образом, химически и механически стабилизирует решетку SiN x .

SiN x Слои, полученные методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении (LPCVD), обычно демонстрируют более низкое содержание водорода и более высокую устойчивость к HF.

SiNx можно травить через фоторезистивные маски буферным или небуферным HF или (выборочно SiO 2 ) концентрированной фосфорной кислотой. Скорость высокочастотного травления SiNx зависит от температуры осаждения SiN x и его показателя преломления. Обогащенная водородом пленка SiN x , осажденная при 100°C с показателем преломления n = 1,9, демонстрирует скорость травления в несколько сотен нм/мин в забуференном HF (12,5 % HF). Скорость травления падает до менее 10 нм/мин для SiN 9.0233 x пленки, осажденные при 400°C с показателем преломления n = 2.

Свойства аморфного SIO

2 и SIN x Пленки

В таблице ниже перечислены «Типичные» значения для выбранного аморфного SIO 9 2 и SIN 9023. IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 9023.IES 3333334.IES 9023.IES 333333334. В зависимости от условий осаждения измеренные значения могут отличаться от этих значений.

Наши пластины с PECDV или LPCVD Si

3 N 4 / SIN x

Мы поставляем кремниевые пластины с кремниевыми нитками. 4 thicknesses.:

  • Available 4 inch Si + Si 3 N 4 wafers: Our 4 inch Si+Si 3 N 4 wafer stock список

Кремниево-германиевые (SiGe) подложки в наличии

Кремний-германиевые (SiGe) пластины

У нас есть 100-мм, 150-мм и 200-мм кремний-германиевые (SiGe) пластины. Напряженный кремний SiGe представляет собой альтернативную подложку для производства КМОП с использованием кремния. Пластины SiGe подходят для схем со смешанными сигналами. SiGe намного дешевле, чем технологии гетеропереходов на основе арсенида галлия (GaAs).

Пожалуйста, сообщите нам, можете ли вы использовать наши спецификации SiGe, или сообщите нам, если у вас есть спецификации, которые вы хотите, чтобы мы процитировали.

Получите предложение SiGe БЫСТРО!

Ваше имя:

Компания:

Ваш адрес электронной почты:

Ваше сообщение:

SiGe Strained Silicon

Описание Prime, Монокристаллический кремний
Диаметр 100 мм, 150 мм и 200 мм
Толщина полустандартная
Удельное сопротивление 1-100 Ом.см -request
Легирующая добавка Нет
Напряженное состояние Напряженное/расслабленное

Кремний Германий Часто задаваемые вопросы

Исследователь SiGe Вопрос:

Поставляете ли вы пленки Si0. 1Ge0.9 на подложках Si? Я ищу расслабленную пленку толщиной 2 мкм. Если да: известна ли плотность прорастающих дислокаций поверх кремниево-германиевой пленки SiGe ? Можно ли сделать эпитаксию поверх этой поверхности?

Кремний Германий Ответ:

Пленка «Si0.1Ge0.9» толщиной 2 мкм с составом Ge слишком высока и слишком толста, это невозможно.

Ge толщиной 2 мкм на кремниевой пластине подходит для поставки

Какова цена 4-дюймовой кремний-германиевой SiGe-пленки?

Вопрос исследователя:

Какова цена 4-дюймовой пленки SiGe толщиной 50 нм на кремниевой пластине? Изменится ли цена, если пленка SiGe будет толщиной 30 или 20 нм?, толщиной 50 нм на кремниевой пластине? Изменится ли цена, если SiGe пленка была 30нм или 20нм толщиной?

SiGe Film Ответ:

Да, цена немного изменится, пока толщина пленки SiGe изменений, пожалуйста, подтвердите состав Ge и количество заказа. за единицу, после этого мы дадим вам предложение.

Можно ли контролировать состав кремния германия (SiGe)?

Мне интересно, можно ли контролировать состав тонкой пленки? говоря SiGe, Si3Ge1 и Si1Ge3.

Меня интересует продукт SiGe на кремниевой пластине. Мне было интересно, можно ли контролировать состав тонкой пленки? говоря SiGe, Si3Ge1 и Si1Ge3. Могу ли я получить предложение на следующие вафли?

Пленка SiGe толщиной 1 мкм на пластине Si (4 фута) *2
Пленка Si3Ge1 толщиной 1 мкм на пластине Si (4 фута) *2
Пленка Si1Ge3 толщиной 1 мкм на пластине Si (4 фута) *2
Толщина 100 нм Пленка SiGe на пластине Si (4′) *2
Пленка Si3Ge1 толщиной 100 нм на пластине Si (4′) *2
Пленка Si1Ge3 толщиной 100 нм на пластине Si (4′) *2

Если состав не поддается контролю, пожалуйста, также пришлите мне цитату для следующих пластин.

Пленка SiGe толщиной 10 мкм на кремниевой пластине *4
Пленка SiGe толщиной 1 мкм на кремниевой пластине *4
Пленка SiGe толщиной 100 нм на кремниевой пластине *4

Тонкая пленка SiGe Ответ:

Состав можно контролировать, просто «Si1Ge3» состав Ge высок, толщина слоя SiGe не может достигать 100 нм, что насчет «Si2Ge2»?

Si1Ge3, SiGe и Si3Ge означают, что соотношение Si/Ge в тонкой пленке составляет 1:3, 1:1 и 3:1 соответственно. Какова самая тонкая толщина, которую вы можете сделать? На самом деле нам нужно всего 1-2 штуки для каждого фильма.

Можете ли вы нанести кремниево-германиевую (SiGe) пленку на кремниевую пластину?

Исследователь спрашивает:

Мне нужна пленка SiGe на кремниевой пластине , а не Si-on-Ge-on-Silicon. Различные составы означают разные концентрации Ge в пленке SiGe. Пожалуйста, взгляните на приложенный документ, в котором они контролировали концентрацию Ge до 20, 40, 60 и 80%.

Si3Ge: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 25 %
SiGe: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 50 %
SiGe3: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 75 %

Если 75% Ge слишком много для вашего синтеза, нам подойдут и 25 и 50%.
Надеюсь, это прояснит ситуацию.

, а не Si-on-Ge-on-Silicon. Различные составы означают разные концентрации Ge в пленке SiGe. Пожалуйста, взгляните на приложенный документ, в котором они контролировали концентрацию Ge до 20, 40, 60 и 80%.

Si3Ge: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 25 %
SiGe: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 50 %
SiGe3: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 75 %

Если 75% Ge слишком много для вашего синтеза, нам подойдут и 25 и 50%.

Надеюсь, это прояснит ситуацию.

Ответ:

У нас есть следующие спецификации. Пожалуйста, заполните форму для расчета стоимости.

  1. Si3Ge: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 25%, толщина пленки SiGe 400 нм на кремниевой пластине
  2. SiGe: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 50%, толщина пленки SiGe 30 нм на кремниевой пластине
  3. SiGe3: концентрация Ge в пленке SiGe составляет 75%, толщина пленки SiGe 10 нм на кремниевой пластине

Есть ли у вас пластины из нелегированного кремния-гермаия (SiGe)?

Вопрос исследователя:

У вас есть следующая спецификация SiGe?

Пластины Si+2at%Ge

Диаметр пластин: 40-50 мм
Тип: n-тип
Ориентация [100]
Удельное сопротивление: более 1000 Ом·см (без компенсации)
Легирующая добавка: Фосфор
Толщина: 0,5 мм
Двусторонняя полировка.

Ответ:

Да, у нас есть:

Пластины Si+2at%Ge, пластина Si0,98Ge0,02
Диаметр пластины: 100 мм
Тип: n-тип
Ориентация: более чем сопротивление [100] 900 1000 Ом.см (без компенсации)
Легирующая добавка: Фосфор
Толщина: 0,5 мм
Двусторонняя полировка.

Цену запрашивайте.

Не могли бы вы прислать мне оценку кремниевых германиевых пластин p-SiGe?

Диаметр: 100 мм, 150 мм
Удельное сопротивление: Сильно легированный бором

Тип: р-тип

Состав: x=0,7, 0,6, 0,5
SiGe
толщина: 100 нм или 200 нм

Легирующая добавка: бор
Напряженное состояние: что угодно

Ответ Да! У нас есть следующее:

Диаметр 100+/-0,25 мм
1 # SiGe-on-Silicon Wafer, 40% Ge Состав
Кремниевая подложка
Описание Монокристалл кремния
Толщина 525+/-25 мкм
Удельное сопротивление 1-10 Ом. см слой, x=0,6,1-x=0,4
Состав Si x Ge 1-x
Толщина 100 нм
Легирующая добавка Бор
Напряженное состояние Расслабленное

150 мм SiGe/кремниевая пластина
2# SiGe-на-кремниевой пластине, 40% Ge Состав
Кремниевая подложка
Описание Основной, монокристаллический кремний
Диаметр 150+/-0,25 мм
Толщина 625/675+/-25 мкм
Удельное сопротивление 1-10 Ом·см
Тип P-типа (легированный бором)
Полировка Односторонняя эпитаксиальная полировка
Ориентация (100)
Si x Ge 1 -x Эпитаксиальный слой, x=0,6,1-x=0,4
Состав Si x Ge 1-x
Толщина 100нм
Легирующая добавка Бор
Напряженное состояние Релаксированное

Вы носите кремний германий (SiGe) с эпитаксиальным слоем

Вопрос исследователя:

У вас есть SiGe с эпитаксиальным слоем?

Ответ :

Да, мы можем поставить Si/Ge 80/20 и 70/30 двух разных составов. Кремниевая подложка
Описание Монокристалл Кремний
Диаметр 100+/-0,4 мм
Толщина 500~550 мкм
Удельное сопротивление 1-20 Ом·см0024 Ориентация (100)
Термический оксидный слой 100 нм

Si1-xGex Эпитаксиальный слой, x=0.2,1-x=0.8
Состав Si1-xGex
Толщина 100 нм узнайте свойства продукта, который у вас есть, концентрацию Ge и цену за пластину

Вопрос исследователя:
Я ищу кремний-германиевые пластины n-типа (100) с различной концентрацией Ge.

Ответ:

Мы можем поставить SiGe с различной концентрацией Ge:

Диаметр 50,8 мм, 100 мм и 150 мм
Тип: n-тип (100) Кремний германий
Удельное сопротивление: менее 4 см 0 Ом на одной стороне полированный

Пожалуйста, пришлите нам ваши спецификации!

SiGe Layers можно настроить в соответствии с вашими конкретными исследовательскими потребностями или сравнить высокотемпературные SiGe с кремниевыми устройствами или интегральными схемами на предмет различий в производительности.

Магазин кремния Германий в космосе

Смотреть видео!

 

Для чего нужны кремний и германий?

Химические элементы кремний и германий очень похожи, но используются по-разному. Например, из кремния делают электронику, а из него делают полупроводники, в том числе транзисторы. Хотя кремний является более распространенным полупроводником, он также полезен для других приложений. Некоторые из этих приложений перечислены ниже. Чем кремний отличается от других полупроводников? Читайте дальше, чтобы узнать больше об этих двух элементах. Давайте посмотрим, чем отличаются эти два материала.

Кремний и германий являются соединениями с атомным номером 14. Они похожи друг на друга, но используются для разных целей. Основное различие между ними заключается в их атомных номерах. Первому соответствует 14, а второму — 32. Ни один из материалов не очень хорош для света, поэтому он не практичен для продуктов на основе света. Эти два металла часто обозначают аббревиатурой Si и Ge, что означает «кремний» и «германий».

Кремний является более дешевым металлом, но и более ценным. Это связано с тем, что кремний намного проще в изготовлении и имеет более высокое тепловое сопротивление, чем германий. Хотя первый дешевле своего конкурента, германий легче обрабатывать и он более ценен. Поэтому кремний более популярен для многих приложений, включая электронные устройства. То же самое верно для обоих материалов. Эти два элемента необходимы нашему обществу. Вы, наверное, задавались вопросом, для чего они используются.

Кремний — это полупроводник, и его соединения необходимы для электронных устройств. Кроме того, они используются в цементе, керамике и стекле. Германий был открыт в 1886 году Клеменсом Винклером. Его атомный номер 32, и он расположен чуть ниже Si в периодической таблице. Он имеет алмазоподобную кристаллическую структуру, но немного менее плотный и имеет серо-белый цвет.

Хотя оба элемента используются в электронике, кремний является гораздо более чистым материалом, чем германий, что делает его лучшим выбором для компьютерных микросхем. Его изоляционные свойства важны для транзисторов в электронных устройствах. Напротив, германий дороже и не так распространен, как его аналог. Несмотря на различия, они оба полезны в электронных продуктах. Есть много разных приложений для обоих. Основное отличие состоит в том, что кремний дороже, а германий более распространен.

Кремний представляет собой полупроводниковый материал и полупроводник. Его атомный номер — 14 и 32. По сравнению с германием кремний имеет более высокую температуру плавления и поэтому лучше переносит жаркую среду. Хотя оба эти элемента важны, различия между двумя веществами не очень важны. Оба они используются в высокотемпературных и смешанных цепях. Итак, если вы планируете разработать новый продукт, очень важно понимать разницу между кремнием и последним.

Помимо различий, эти два элемента хорошо работают вместе. Хотя кремний более доступен по цене, чем германий, он также более чистый, чем его аналог. Оба материала имеют разное применение. Например, оба материала хорошо работают в компьютерных чипах, но один лучше другого в других приложениях. Однако кремний лучше подходит для компьютерных чипов, потому что лучше работает со светом. Он лучше подходит для сотовых телефонов и другой электроники в мобильном мире.

Кремний дешевле германия, но более ценен, чем германий. Это меньшее из двух. Его больше в земной коре, и его ICBO может удваиваться при любой температуре. По сравнению с этими двумя элементами кремний более редок, а германий более распространен во внешней атмосфере. Итак, если вы ищете полупроводник, вы можете использовать его в электронике.

По сравнению с германием кремний более чистый и может использоваться для компьютеров. Вот почему он часто используется для компьютеров и других устройств. В результате он больше подходит для использования в области полупроводников. И хотя он дешевле германия, он менее долговечен, чем его аналог. Но его можно использовать в высокотемпературных приложениях. На самом деле он может работать при температуре до 150 градусов по Цельсию, тогда как германий менее долговечен.

Кремний Германиевые сплавы

Исследователи использовали полупроводниковые материалы с непрямой запрещенной зоной, включая кубический кремний (Si), германий (Ge) и сплавы SiGe, для достижения эффективного излучения света прямозонными гексагональными сплавами Ge и SiGe.

Пожалуйста, пришлите нам ваши спецификации для предложения.

Лазеры на основе кремния и германия (SiGe)

В течение десятилетий исследователи усердно работали над созданием лазеров на основе SiGe, которые можно без труда интегрировать в существующие сегодня чипы. Эта новая технология догнала фосфид индия и арсенид галлия, которые в настоящее время используются в современных чипах. Скорость устройств на базе SiGe может увеличиться на 1000%.

Мы можем предоставить синий и зеленый цвета, эпитаксическая структура представляет собой «эпи-структуру LED MQW/эпитаксия кремния/эпитаксия SiGe/кремниевая подложка» по крайней мере 3 режима эпитаксии. Цена зависит от количества.

Пожалуйста, пришлите нам свои характеристики!

Поликристаллический кремний Германий

Мы можем предоставить пластины SiGe 4», 6» и 8», цена зависит от окончательных требований. Пожалуйста, отправьте нам свои спецификации и количество для немедленного расчета.

Новые SiGe-транзисторы помогают передавать данные с рекордной скоростью с использованием света

Исследователи из ETH создали модулятор, который уменьшает потери сигнала при передаче данных с помощью кремниево-германиевых транзисторов .

com/new-chip-transfers-data-using-light-at-record-breaking-speed» data-id=»new-chip-transfers-data-using-light-at-record-breaking-speed»>

Источник: IEF/Springer Nature Ltd.

Как бы вы сравнили кремний-германий и арсенид галлия в качестве полупроводникового материала?

Кремний-германий (SiGe) представляет собой эпитаксиальную пластину из сплава, он имеет более высокую стоимость для полупроводниковых интегральных схем и т. д. Арсенид галлия (GaAs) является более дешевой подложкой для светодиодов, LD-приложений или связанного с ними эпитаксиального выращивания.

Кремниево-германиевое устройство Следующий шаг в производстве лазеров на кремниевой основе

Когда дело доходит до микроэлектроники, движущей силой нашего информационного общества является транзисторная технология рабочих лошадок. Существует бесчисленное множество электронных устройств, которые мы используем в повседневной жизни, таких как сканеры штрих-кодов и лазерные указки, которые используют различные полупроводники, от кремний-германия до арсенида галлия (GaAs), и поэтому кажется естественным найти способы интеграции этих различных функций. . Особый интерес в этом контексте представляют компоненты лазерной указки на основе кремния, которые обычно основаны на арсенидах галлия (GaAs). Хотя большое количество высокопроизводительных компонентов на основе кремния с низким энергопотреблением может быть изготовлено сегодня с очень низкой стоимостью, есть и другие области, где свойства полупроводника, такого как кремний, используются технологически. Кремний используется в самых разных областях, например, при использовании штрих-кодов, сканеров, лазеров и указателей.

К сожалению, физические процессы, которые генерируют свет в GaAs, работают не так хорошо, как в кремнии, поэтому поиск альтернативных способов реализации лазера на кремнии остается главной и долгосрочной целью. Международная группа под руководством исследователей из Департамента материаловедения и инженерии Университета Иллинойса в Урбана-Шампейн представляет важный шаг на пути к такому устройству в Письмах по прикладной физике.

Кроме того, наблюдаемое излучение находится в терагерцовом диапазоне частот, который находится между микроволновой электроникой и инфракрасной оптикой и представляет большой интерес для различных приложений. Полупроводниковая структура основана на GaAs, материале, состоящем из двух разных типов запрещенных зон: прямой и непрямой. В последнем и первом они непрямые, и электроны рекомбинируют в дырках в запрещенной зоне GaAs, генерируя свет и тепло в кремнии. Поэтому для построения лазера на основе GaAs-шаблона используется кремний, так как это никак не связано с тем, что материал намного легче кремния и поэтому лучше подходит для использования в лазерах», — сообщает исследовательская группа из Университета Иллинойса в Урбана-Шампейн, Штутгартский университет.0024 Таким образом, воздействие лазера на кремний требует разных путей, и его воздействие на GaAs также требует другого пути.

ККЛ достигают светового излучения, туннелируя свои электроны через повторяющийся набор точно сконструированных полупроводниковых структур, в которых высвобождаются технологические потенциалы. Исследование этого нового подхода аналогично исследованию Института квантовой оптики Макса Планка в Гархинге и Калифорнийского университета в Беркли. Они работают над первым квантово-каскадным лазером на основе кремния с GaAs в качестве основного материала.

Хотя парадигма QCL была впервые продемонстрирована в 1994 году группой под руководством Джерома Файста, который тогда работал в Bell Laboratories в США, она была впервые продемонстрирована в материалах на основе кремния. Реализация этих прогнозов является частью междисциплинарного проекта, финансируемого Европейской комиссией, объединяющего ведущих специалистов, характеризующих высококачественные полупроводниковые материалы и производящих их в качестве компонентов в Университете Глазго. Группа скаляров и фаистов ETH — одна из крупнейших и наиболее передовых исследовательских групп в мире в этой области.

Каковы преимущества кремния германия (SiGe) в полупроводниковой технологии?

Кремний-германий является важным материалом, который используется для изготовления биполярных транзисторов SiGe с гетеропереходом и транзисторов металл-оксид-полупроводник (МОП) с напряженным кремнием для усовершенствованных комплементарных металл-оксид-полупроводник (КМОП) и BiCMOS (биполярная КМОП) технологии. Он также обладает интересными оптическими свойствами, которые все чаще применяются в фотонных устройствах на основе кремния. Ключевым преимуществом кремний-германий является его использование в сочетании с кремнием для создания гетероперехода. Деформация включается в кремний-германий или кремний во время роста, что также дает улучшенные физические свойства, такие как более высокие значения подвижности. В этой главе рассматриваются свойства кремний-германия, начиная с электронных свойств и затем переходя к оптическим свойствам. Рассмотрен рост кремний-германия с особым акцентом на методе химического осаждения из газовой фазы и селективной эпитаксии. Наконец, свойства поликристаллического кремния-германия обсуждаются в контексте его использования в качестве материала затвора для МОП-транзисторов.

Фазовая диаграмма кремний-германий

Фазовая диаграмма кремний-германий показывает различные фазы полупроводника. Четыре основные фазы — это n-тип, p-тип и s-тип. Тип n отражает большинство электронов, а тип p представляет меньшинство. Примесями донорного типа являются фосфор, сурьма, мышьяк и олово. В твердом состоянии электроны вносят больший вклад в электропроводность, чем дырки.

В твердом состоянии валентные электроны перемещаются на энергетический уровень акцептора и оставляют после себя электронную дырку. При этом образуются дополнительные дырки, во многом ответственные за наличие носителей заряда. Эти электроны называются р-типами. Для данной температуры энергетические уровни валентных электронов кремния и германия схожи, хотя валентных электронов больше. Типы s и p имеют более высокие плотности и являются доминирующими типами носителей заряда в этих двух материалах.

На фазовой диаграмме кремний-германий показана начальная граница роста, соответствующая температуре плавления металла. По мере вытеснения кремния из валентной зоны в раствор концентрация локального кремния увеличивается. Область с наименьшей растворимостью имеет самую низкую температуру, и начинается осаждение. Если осаждение продолжается, материал является твердым. Однако наблюдать за этим процессом непросто, если вы хотите наблюдать за кристаллизацией на самой ранней стадии.

Что такое деформированный кремний?

Напряженный кремний представляет собой слой кремния, обработанный таким образом, что атомы кремния растягиваются за пределы своего нормального межатомного расстояния. Это делается путем размещения кремния поверх подложки из кремния-германия или кремния. В результате этого процесса получается очень тонкий и очень прочный материал, но в то же время очень хрупкий. По этой причине очень важно знать, что такое натянутый силикон. Чтобы узнать больше, продолжайте читать.

Деформация кремния снижает эффективную массу кремния, что увеличивает подвижность носителей. Это также делает материал более эффективным, поскольку для производства чипа требуется меньше энергии. Нагрузка на кремний также повышает производительность чипа за счет уменьшения количества энергии, потребляемой чипом. В отличие от обычного кремния, он способен выдерживать более высокие напряжения, а значит, более энергоэффективен. Кроме того, напряженные полупроводники не восприимчивы к теплу и легче охлаждаются, чем обычные материалы.

Еще одним ключевым преимуществом натянутого кремния является его уменьшенная эффективная масса. Напряжение делает атомы кремния менее подвижными, поэтому они легче реагируют на напряжение. Это делает напряженные полупроводники более энергоэффективными. Если вы заинтересованы в создании полупроводникового устройства, это то, что вам нужно. Приложив немного усилий, вы можете сделать свой собственный. Просто убедитесь, что вы выбрали производителя с опытом производства полупроводников.

Деформация кремния изменяет постоянную решетки кремния на 1%, поэтому изменяется структура электронной зоны. Эта модификация позволяет подвижности носителей двигаться быстрее в ответ на напряжение. С помощью этого процесса было изготовлено несколько транзисторов nMOS. Если вас интересует высокопроизводительный полупроводник, попробуйте изделие из напряженного кремния. Это может значительно улучшить производительность вашего компьютера.

Помимо преимуществ напряженного кремния, он имеет качественный, надежный полупроводник. Качественный чип может служить долго. Если вы хотите снизить мощность и потребление энергии, вам следует выбрать продукт с напряженным кремнием. В случае с транзистором он должен быть напряжен в двух направлениях. Если это сделать, то скорость увеличится. Если вы хотите повысить надежность своего продукта, вам следует попробовать витой кремний.

Напряженный кремний — это тип полупроводника, который предлагает компромисс между мощностью и скоростью. Он работает путем понижения двух из шести электронов в кремнии до более низкого энергетического уровня, что позволяет достичь той же проводимости при меньшей мощности. Однако для работы требуется идеальная однородная структура. Вот почему важно понимать, что такое напряженный кремний. Разница между напряженным полупроводником имеет решающее значение.

Напряженный кремний представляет собой материал, который имеет более высокую эффективную массу, чем стандартный кремний. Он не такой плотный, как обычный кремний, и обладает большей подвижностью, чем обычный кремний. Высококачественный кристаллический материал лишен этого недостатка. Напряженный кремний низкого качества используется для таких приложений, как память и полупроводники. Этот процесс не только приводит к напряжению полупроводника, но и более безопасен и эффективен.

Нижележащий кремний-германиевый слой действует как подложка и обеспечивает необходимую поддержку кремниевой пленки. Атомы кремния напрягаются, выравниваясь с нижележащим кремниево-германиевым слоем. Это приводит к растяжению кремниевых гиперссылок и искажению кристаллической структуры. Поскольку деформация изменяется в зависимости от направления и величины напряжения, он имеет другие свойства, чем обычный кремний. Искаженная кристаллическая структура не способствует повреждению и помогает снизить потребление энергии.

Так же, как и натянутая пленка кремния, изготавливается путем натягивания двух слоев кремния на слой кремния-германия. Атомы кремния на 1% более искажены, чем лежащий в основе кремний-германий, что повышает его подвижность и энергоэффективность. Из-за этого напряженный кремний дороже стандартного кремния. Несмотря на высокую цену, преимущества напряженных полупроводников очевидны. При использовании натянутой силиконовой пленки очень важно внимательно прочитать спецификации.

Напряженный кремний — это новый вид кремния. Термин является аббревиатурой для напряженного кремния. Термин «напряженный кремний» происходит от латинского слова «напряженный». Слово «напряженный» относится к процессу растяжения полупроводника. Это расширение слова «штамм». Результатом является деформация, которая нагружает материал. Когда полупроводник подвергается деформации, он становится хрупким. Это не сломается.

 

Контролируемый рост дихалькогенидов переходных металлов в виде пластин с вертикальным градиентом состава для искусственных синапсов с высокой линейностью

. 2022 1 авг.

doi: 10.1021/acsnano.2c03263.

Онлайн перед печатью.

Лэй Тан
1
, Чанцзю Тэн
1
, Рунчжан Сюй
1
, Цзехао Чжан
1
, Усман Хан
1
, Жунцзе Чжан
1
, Ютинг Луо
1
, Хуиюй Нонг
1
, Билу Лю
1
, Хуэй-Мин Ченг
1

2

3

Принадлежности

  • 1 Шэньчжэнь Гейм Центр графена, Шэньчжэньский институт Цинхуа-Беркли и Институт исследования материалов, Шэньчжэньская международная аспирантура, Университет Цинхуа, Шэньчжэнь 518055, Китайская Народная Республика.
  • 2 Шэньянская национальная лаборатория материаловедения, Институт исследования металлов Китайской академии наук, Шэньян 110016, Китайская Народная Республика.
  • 3 Факультет материалов и инженерии/Технологический институт углеродной нейтральности, Шэньчжэньский институт передовых технологий, Китайская академия наук, Шэньчжэнь 518055, Китайская Народная Республика.
  • PMID:

    350

  • DOI:

    10.1021/acsnano.2c03263

Лей Танг и др.

АКС Нано.

.

. 2022 1 авг.

doi: 10.1021/acsnano.2c03263.

Онлайн перед печатью.

Авторы

Лэй Тан
1
, Чанцзю Тэн
1
, Рунчжан Сюй
1
, Цзехао Чжан
1
, Усман Хан
1
, Жунцзе Чжан
1
, Ютинг Луо
1
, Хуиюй Нонг
1
, Билу Лю
1
, Хуэй-Мин Ченг
1

2

3

Принадлежности

  • 1 Шэньчжэнь Гейм Центр графена, Шэньчжэньский институт Цинхуа-Беркли и Институт исследования материалов, Шэньчжэньская международная аспирантура, Университет Цинхуа, Шэньчжэнь 518055, Китайская Народная Республика.
  • 2 Шэньянская национальная лаборатория материаловедения, Институт исследования металлов Китайской академии наук, Шэньян 110016, Китайская Народная Республика.
  • 3 Факультет материалов и инженерии/Технологический институт углеродной нейтральности, Шэньчжэньский институт передовых технологий, Китайская академия наук, Шэньчжэнь 518055, Китайская Народная Республика.
  • PMID:

    350

  • DOI:

    10.1021/acsnano.2c03263

Абстрактный

Искусственные синапсы перспективны для обработки больших объемов данных. В последнее время был достигнут большой прогресс с точки зрения улучшения соотношения токов включения/выключения, количества состояний и энергоэффективности синаптических устройств. Однако нелинейное поведение обновления веса синапса, вызванное неопределенным направлением проводящей нити, приводит к сложной модуляции веса, что снижает точность доставки информации. Здесь мы предлагаем стратегию улучшения поведения синапсов при обновлении веса с использованием дихалькогенидов переходных металлов, выращенных химическим осаждением из паровой фазы (TMDC) с вертикальным градиентом состава, где концентрация серы постепенно уменьшается вдоль направления толщины TMDC и, таким образом, образует определенный направление проводящей нити для синаптических устройств. Стоит отметить, что приборы показывают отличную линейную проводимость потенцирования и депрессии с высокой линейностью 0,9.94 (превосходящие большинство современных синапсов), имеют большое количество состояний и способны создавать массивы синапсов в масштабе пластины. Кроме того, устройства, основанные на TMDC с вертикальным градиентом состава, демонстрируют асимметричную особенность поведения потенциации и депрессии с высокой линейностью и следуют смоделированной линейной функции Leaky ReLU, что приводит к высокой точности распознавания 94,73%, что преодолевает проблему ненадежности в сигмовидной функции из-за явления исчезающего градиента. Это исследование не только предоставляет универсальный метод выращивания TMDC с вертикальным градиентом состава, но также способствует изучению высоколинейных синапсов в направлении нейроморфных вычислений.


Ключевые слова:

искусственные синапсы; химическое осаждение из паровой фазы; массив устройств; линейность; дихалькогениды переходных металлов; вертикальный градиент композиции; вафельная шкала.

Похожие статьи

  • Вертикальное химическое осаждение из газовой фазы высокооднородных двумерных дихалькогенидов переходных металлов.

    Тан Л., Ли Т., Луо Ю., Фэн С., Цай З., Чжан Х., Лю Б., Ченг Х.М.
    Танг Л. и др.
    АКС Нано. 2020 28 апреля; 14 (4): 4646-4653. дои: 10.1021/acsnano.0c00296. Epub 2020, 17 апреля.
    АКС Нано. 2020.

    PMID: 32299213

  • Крупномасштабные и гибкие оптические синапсы для нейроморфных вычислений и интегрированной обработки памяти, воспринимающей видимую информацию.

    Хоу YX, Ли И, Чжан ZC, Ли JQ, Ци DH, Чен XD, Ван JJ, Яо BW, Ю МХ, Лу ТБ, Чжан J.
    Хоу YX и др.
    АКС Нано. 2021 26 января; 15 (1): 1497-1508. doi: 10.1021/acsnano.0c08921. Epub 2020 29 декабря.
    АКС Нано. 2021.

    PMID: 33372769

  • Синтез кристаллов монослоя вафельного масштаба WS 2 для применения в интегрированных электронных устройствах.

    Чен Дж., Шао К., Ян В., Тан В., Чжоу Дж., Хэ К., Ву И., Чжан С., Ли С., Ян С., Ву З., Кан Дж.
    Чен Дж. и др.
    Интерфейсы приложений ACS. 2019 29 мая; 11 (21): 19381-19387. doi: 10.1021/acsami.9b04791. Эпаб 2019 14 мая.
    Интерфейсы приложений ACS. 2019.

    PMID: 31055914

  • Влияние выбора прекурсоров на синтез двумерных дихалькогенидов переходных металлов.

    Брюн В. , Грош М., Вайссинг Р., Хартл Ф., Франк М., Мишра С., Матур С.
    Брюн В. и др.
    Далтон Транс. 21 сентября 2021 г .; 50 (36): 12365-12385. doi: 10.1039/d1dt01397a.
    Далтон Транс. 2021.

    PMID: 34318836

    Обзор.

  • Синтез дихалькогенидов переходных металлов на большой площади с помощью CVD и подходов на основе растворов, а также их применение в устройствах.

    Хоанг А.Т., Цюй К., Чен С., Ан Дж.Х.
    Хоанг А.Т. и соавт.
    Наномасштаб. 2021 21 января; 13 (2): 615-633. doi: 10.1039/d0nr08071c.
    Наномасштаб. 2021.

    PMID: 33410829

    Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Проверка состава кремниевых пластин роялти бесплатно векторное изображение

Проверка состава кремниевых пластин роялти бесплатно векторное изображение

    org/BreadcrumbList»>

  1. лицензионные векторы

  2. Вафли векторов

ЛицензияПодробнее

Стандарт
Вы можете использовать вектор в личных и коммерческих целях.

Расширенный
Вы можете использовать вектор на предметах для перепродажи и печати по требованию.

Тип лицензии определяет, как вы можете использовать этот образ.

Стд. Расшир.
Печатный/редакционный
Графический дизайн
Веб-дизайн
Социальные сети 905:00

Редактировать и изменять
Многопользовательский
Предметы перепродажи
Печать по требованию
Способы покупкиСравнить

Плата за изображение
14,99

Кредиты
1,00

Подписка
0,69

Оплатить стандартные лицензии можно тремя способами. Цены евро евро .

Оплата с помощью Цена изображения

Плата за изображение

14,99

Одноразовый платеж

Предоплаченные кредиты

1

Загружайте изображения по запросу (1 кредит = 1 евро). Минимальная покупка 30р.

План подписки

От 0,69 €

Выберите месячный план. Неиспользованные загрузки автоматически переносятся на следующий месяц.
905:00

Способы покупкиСравнить

Плата за изображение
39,99

Кредиты
30,00

Существует два способа оплаты расширенных лицензий. Цены евро евро .

Оплата с помощью Стоимость изображения

Плата за изображение

39,99

Оплата разовая, регистрация не требуется.

Предоплаченные кредиты

30

Загружайте изображения по запросу (1 кредит = 1 евро).

Дополнительные услугиПодробнее

Настроить изображение
Доступно только с оплатой за изображение
85,00

Нравится изображение, но нужны лишь некоторые изменения? Пусть наши талантливые художники сделают всю работу за вас!

Мы свяжем вас с дизайнером, который сможет внести изменения и отправить вам изображение в выбранном вами формате.

Примеры
  • Изменить текст
  • Изменить цвета
  • Изменение размера до новых размеров
  • Включить логотип или символ
  • Добавьте название своей компании или компании
файлов включены

Загрузка деталей…

  • Идентификатор изображения
    35502967
  • Цветовой режим
    RGB
  • Художник
    макровектор

Процесс очистки пластин — Modutek

Процесс очистки пластин, используемый с кремнием, является важным этапом в процессе производства полупроводников и МЭМ. Modutek поддерживает различные типы 9Процесс очистки пластин 0729 , который поддерживает чистоту, независимо от того, проводите ли вы исследования или крупносерийное производство. Процессы очистки, поддерживаемые Modutek, включают RCA clean, SC 1 и SC 2 (Standard Clean 1 и 2), Piranha etch clean, предварительную диффузионную очистку, а также дополнительные новые процессы очистки, которые включают очистку озоном и мегазвуковую очистку.

Цель очистки пластины

Целью процесса очистки пластины является удаление химических примесей и частиц без изменения или повреждения поверхности или подложки пластины. Поверхность пластины не должна подвергаться воздействию, чтобы шероховатость, коррозия или точечная коррозия сводили на нет результаты процесс очистки пластин .

Выход кремниевой пластины обратно пропорционален плотности дефектов (чистоте и количеству частиц) в результате обработки пластины. Одним из способов снижения плотности дефектов и увеличения выхода продукции является использование эффективных процессов очистки пластин , которые эффективно удаляют загрязняющие частицы. С меньшими полупроводниковыми устройствами и геометрией удаление более мелких частиц из кремниевых пластин стало более важным. Мелкие частицы бывает трудно удалить, поскольку между частицами и подложкой пластины существуют сильные электростатические силы.

Методы очистки пластин

Химия, используемая для стандартной очистки пластин, практически не изменилась за последние 30 лет. Он основан на использовании процесса очистки RCA, в котором используются кислые растворы перекиси водорода и гидроксида аммония. Хотя это основной метод, который до сих пор используется в промышленности, в последнее время изменилось его применение наряду с новой оптимизированной технологией очистки, которая включает в себя системы очистки озоном и мегазвуковой очистки.

Производство интегральных схем требует сотни точных технологических операций в зависимости от конкретного типа устройства. Большинство шагов выполняются как отдельные процессы на всей пластине, прежде чем они будут разделены на отдельные чипы. Около 20% шагов — пластина процессов очистки , что подчеркивает важность очистки пластин и подготовки поверхности подложек.

.

Этап очистки пластин

Назначение
Очистка перед диффузией Создает поверхность, свободную от металлических, механических и органических загрязнений. В некоторых случаях необходимо удалить естественный оксид или химические оксиды
Средство для удаления металлических ионов Удаление ионов металлов, которые могут отрицательно влиять на работу устройства
Частица Удаление Чистый Удаление частиц с поверхности с помощью химической или механической очистки с помощью очистки Megasonic.
Очистка после травления Удалить фоторезист и полимеры, оставшиеся после процесса травления. Удалите фоторезист и твердые остатки, включая травильный полимер
Чистка для удаления пленки Травление нитрида кремния/полоса, травление оксида/полоса, травление кремния и металла/полоска травления

 

RCA Clean

Процесс очистки RCA был первоначально разработан корпорацией RCA и представляет собой метод очистки для удаления органических остатков с кремниевых пластин. Чистящий раствор состоит из 5 частей воды, 1 части 30 % перекиси водорода и 1 части 27 % гидроксида аммония. Это эффективный способ удаления органических загрязнений, оставляющий на поверхности пластины тонкий слой окисленного кремния.

 

Стандартная очистка 1 и 2 (очистка SC1, очистка SC2)

Процесс очистки RCA может выполняться в два этапа, называемых SC1 и SC2. В процессе очистки SC1 используется раствор APM (водная смесь гидроксида аммиака и перекиси водорода) метода очистки RCA, который удаляет органические вещества и частицы. Эта обработка формирует тонкий слой диоксида кремния на поверхности пластины с некоторым металлическим загрязнением, которое будет удалено на последующих этапах. В методе очистки SC2 используется раствор, который обычно состоит из 6 частей деионизированной воды, 1 части соляной кислоты и 1 части перекиси водорода или HPM (смесь соляной кислоты и перекиси). На этом этапе эффективно удаляются оставшиеся следы металлических (ионных) загрязнений, некоторые из которых были введены на этапе очистки SC1. Кроме того, он оставляет на поверхности пластины тонкий пассивирующий слой, защищающий ее от последующего загрязнения. Эти два шага подготавливают кремниевую пластину к дальнейшей обработке.

 

Piranha Etch Clean

Piranha Etch Clean – это популярный процесс очистки кремниевых пластин, но чтобы он был эффективным, его необходимо строго контролировать. Средство Piranha etch clean, также известное как раствор Piranha, используется для удаления большого количества органических остатков с подложек пластин. Эффективно удаляет фоторезист и другие трудноудаляемые органические материалы. Типичное соотношение смеси составляет 3 части серной кислоты и 1 часть 30-процентной перекиси водорода. В других протоколах используется более высокое соотношение серной кислоты 4 к 1 или даже 7 к 1. Поскольку смесь является сильным окислителем, она не только удаляет большую часть органических веществ, но также гидроксилирует большинство поверхностей и делает их гидрофильными (совместимыми с водой). ). Смесь обладает высокой коррозионной активностью и требует особой осторожности при приготовлении и обращении. Процесс травления пираний можно проводить в нагретых кварцевых резервуарах, где на скорость травления влияют как температура, так и химическая концентрация. Modutek предлагает стратегию управления технологическим процессом, обеспечивающую улучшенные результаты. Дополнительные сведения см. в статье «Улучшение результатов процесса Piranha Etch при очистке кремниевых пластин».

Очистка перед диффузией

Очистка перед диффузией является важным этапом в процессе производства пластин. Они выполняются несколько раз в процессе производства и требуют значительной мощности оборудования. Они выполняются на последнем этапе перед тем, как кремниевая пластина пройдет через диффузионную печь. Загрязнение частицами и металлами должно быть сведено к минимуму, а однородность травления должна быть оптимизирована при сохранении высокой производительности.

В зависимости от характера загрязнения для достижения чистоты поверхностей можно использовать различные агрессивные химикаты, в том числе из упомянутых выше методов очистки. Преддиффузионная очистка является важным процессом, поскольку частицы или загрязняющие вещества на поверхности пластины, вероятно, также попадут в пластину, вызывая непредсказуемые электрические свойства, что приводит к дефектному или низкокачественному полупроводниковому выходу.

 

Мегазвуковая очистка

На предприятиях по производству пластин и в исследовательских центрах требуются строгие протоколы контроля загрязнения и используются различные методы очистки пластин. Эти методы включают в себя механические и влажные химические ванны в сочетании с использованием оборудования для высокочастотной мегазвуковой очистки.

Мегазвуковая очистка пластин включает использование различных сложных механизмов, включающих механическую вибрацию и кавитацию в резервуаре для очистки. Мегазвуковая очистка не требует использования дорогостоящих химических средств и одновременного удаления как пленок загрязнений, так и субмикронных частиц.

Очистка озоном

Процесс очистки озоном позволяет очищать или зачищать пластины быстрее и экономичнее, чем традиционные процессы очистки. Запатентованный Modutek усовершенствованный процесс очистки озоном не требует использования дорогостоящих химикатов и повышает производительность процесса при одновременном сокращении вредных для окружающей среды отходов. В процессе используется деионизированная вода в градиентной сушилке Modutek DryZone для очистки подложек пластин от неорганических примесей перед их выдержкой в ​​озоновой камере.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *